汇报标题 (Title)：铪基铁电隧路结退极化个性调控及其在人为神经系统中的利用
汇报人 (Speaker)：龙啸 博士（中国科学院微电子钻研所）
汇报功夫 (Time)：2024年10月11日(周五) 15:00
汇报地址 (Place)：校本部 G313
约请人 (Inviter)：曾志刚 副教授
主办部门：理学院物理系、上海市高温超导沉点尝试室
提要 (Abstract)：
铪基铁电隧路结（HfO2 based FTJs）因其优异的CMOS兼容性、高集成密度以及低功耗等特点，已成为当前构建人为神经网络系统的沉要选择。对退极化效应的钻研至关沉要，是调控器件的非易失性的关键，对于实现分歧种类神经网络的应器拥有沉要意思。近期，来自中国科学院微电子钻研所刘明院士团队的龙啸博士，主导了在锗晶圆上的HZO FTJ工艺优化工作。通过选取下界面氧化物插层工艺，在加强隧路电阻窗口的同时大幅减轻了退极化效应的影响，降低了操作电压，并提高了器件的靠得住性。这项优化的器件结构具备低功耗、电导陆续可调的优势，已成功利用于合作方开发的离子传感和发电的生物源传感装置（BSSD），作为零电压写入人为神经系统（ZANS）的主题组件。
